ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า
เฟตเป็นทรานซิสเตอร์ชนิดหนึ่ง มีโครงสร้างแตกต่างไปจากทรานซิสเตอร์ทั่วไป และมีข้อดีกว่าทรานซิสเตอร์ทั่วไปหลายประการ คือต่อขยายหลายภาคได้ดี ทำงานที่อุณหภูมิสูงได้ดี มีสัญญาณรบกวนต่ำ มีอิมพีแดนซ์สูง เป็นต้น
เฟตแบ่งออกได้ 2 ประเภท คือ JFET และ MOSFET และโครงสร้างมี 2 ชนิด คือ P แชนแนลและ N แชนแนล MOSFET ยังแบ่งย่อยออกได้เป็นดีพลีชัน MOSFET และเอนฮานซ์เมนต์ MOSFET
JFET นั้นส่วนของเกต เดรนและซอส ถูกต่อถึงกันทั้งหมด การจ่ายไบอัสให้ JFET ทำงาน ต้องจ่ายไบอัสตรงให้ขา S จ่ายไบอัสกลับให้ขา D กับขา G เทียบกับขา S JFET ทำงานเหมือนหลอดสุญญากาศ
ดีพลีชัน MOSFET ส่วนของเกตถูกแยกออกต่างหากส่วนเดรนและซอส โดยใช้ฉนวน SiO2 คั่นไว้ ส่วนของเดรนและซอสถูกต่อถึงกันด้วยฐานรอง ( SS ) ที่เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเดียวกับส่วนเดรนและซอส การจ่ายไบอัสให้ดีพลีชัน MOSFET ต้องจ่ายไบอัสตรงให้ขา S จ่ายไบอัสกลับให้ขา D กับขา G เทียบกับขา S เหมือนการจ่ายไบอัสให้ JFET
เอนฮานซ์เมนต์ MOSFET มีโครงสร้างเหมือนกับดีพลีชัน MOSFET แตกต่างเล็กน้อยในส่วนของเดรนและซอสที่ไม่ต่อถึงกัน การจ่ายไบอัสให้เอนฮานซ์เมนต์ MOSFET จ่ายไบอัสตรงให้ขา G กับขา S เทียบกัน และจ่ายไบอัสกลับให้ขา D ทำให้การทำงานของเอนฮานซ์เมนต์ MOSFET เหมือนการทำงานของททรานซิสเตอร์
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์

เฟต ( FET ) มาจากชื่อเต็มว่า ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ ( Field Effect Transistor ) เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดขั้วเดียว ( Unipolar ) มีลักษณะโครงสร้างและหลักการทำงานแตกต่างไปจากทรานซิสเตอร์ เพราะทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดสองขั้ว การทำงานของทรานซิสเตอร์ต้องอาศัยกระแสช่วยควบคุมการทำงาน ทั้งกระแสอิเล็กตรอนและกระแสโฮล ส่วนเฟตต้องใช้แรงดันในการควบคุมการทำงานลักษณะการควบคุมการทำงานของทรานซิสเตอร์และเฟต

เปรียบเทียบการควบคุม การทำงานของทรานซิสเตอร์และเฟต
จากรูป แสดงการเปรียบเทียบการควบคุมการทำงานของทรานซิสเตอร์และเฟต รูป (ก) ทรานซิสเตอร์ถูกควบคุมการทำงานด้วยกระแสเบส ( IB ) ส่วนรูป (ข) เฟตถูกควบคุมการทำงานด้วยแรงดันที่ขาเกตและขาซอส ( VGS ) กระแส IC ของทรานซิสเตอร์จะถูกควบคุมโดยตรงจากกระแส IB ส่วนกระแส ID ของเฟตจะถูกควบคุมโดยตรงจากแรงดัน VGS
เฟตเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอีกชนิดที่นิยมนำมาใช้งานในการขยายสัญญาณ และใช้งานในหน้าที่ต่าง ๆ เช่นเดียวกับ ทรานซิสเตอร์ นับวันเฟตยิ่งมีบทบาทเพิ่มมากขึ้นในการนำไปใช้งาน เพราะเฟตมีคุณสมบัติหลายประการดีกว่าทรานซิสเตอร์ สรุปเป็นข้อ ๆ ได้ดังนี้
• ขบวนการผลิตเฟตสามารถนำไปใช้การผลิต IC ได้
• เฟตสามารถต่อขยายสัญญาณแบบหลายภาคได้ดี
• เฟตทำงานที่อุณหภูมิสูงได้ดีกว่าทรานซิสเตอร์
• สามารถสร้างเฟตให้มีขนาดเล็กลงได้มากกว่าทรานซิสเตอร์
• เฟตไม่มีผลต่อแรงดันต้านภายในเมื่อนำไปใช้เป็นสวิตช์
• อุณหภูมิมีผลต่อการทำงานของเฟตน้อยกว่าทรานซิสเตอร์มาก
• คุณสมบัติโครงสร้างบางชนิดของเฟตสามารถสร้างให้มีความไวในการทำงานได้ดีกว่าทรานซิสเตอร์
• เฟตมีสัญญาณรบกวนต่ำกว่าทรานซิสเตอร์ จึงเหมาะสมกับการใช้งานในภาคขยายสัญญาณอัตราขยายต่ำ
• อิมพีแดนซ์ทางอินพุตของเฟตสูงประมาณ 100 M ? มากกว่าในทรานซิสเตอร์มาก ซึ่งมีค่าเพียงประมาณ 2 k ? เท่านั้น

การทำงานของเฟต ต้องใช้แรงดันในการควบคุมกระแสเหมือนกับการทำงานของหลอดสุญญากาศ นั่นคือ กระแสจะถูกควบคุมด้วยสนามไฟฟ้าที่เกิดจากแรงดัน สิ่งนี้เองเป็นเหตุให้สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำนี้มีชื่อเรียกว่า ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ ซึ่งมีความหมายว่า ทรานซิสเตอร์ที่ทำงานเนื่องจากผลของสนามไฟฟ้า
ชนิดและประเภทของ เฟต
ในปัจจุบันเฟตได้ถูกพัฒนาให้สามารถทำงานและใช้งานกับอุปกรณ์หลายชนิดมากขึ้น ตัวเฟตเองก็ถูกพัฒนาให้มีหลายประเภทและชนิดมากขึ้น เพื่อให้สามารถนำไปใช้งานได้เฉพาะเจาะจงมากขึ้น เกิดคุณภาพและประสิทธิภาพในการทำงานมากขึ้น เฟตที่สร้างมาใช้งานแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท ดังนี้
• จังชันฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ ( Junction Field Effect Transistor ) หรือเรียกย่อ ๆ ว่า เจเฟต ( JFET ) แบ่งออกได้เป็น 2 ชนิด คือ ชนิดพีแชนแนล ( P-Channel ) และชนิดเอ็นแชนแนล ( N-Channel )
• เมทอลออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) หรอเรียกย่อ ๆ ว่า มอสเฟต ( MOSFET ) แบ่งย่อยออกได้เป็น 2 แบบ คือ
• ดีพลีชันมอสเฟต ( Depletion MOSFET ) หรือ D – MOSFET แบ่งออกได้ 2 ชนิดคือ P แชนแนล และชนิด N แชนแนล
• เอนฮานซ์เมนต์มอสเฟต ( Enhancement MOSFET ) หรือ E – MOSFET แบ่งออกได้เป็น 2 ชนิดคือ ชนิด P แชนแนล และชนิด N แชนแนล